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天津大学24年813半导体物理与器件考研初试内容整理

24考研报考硕士研究生的小伙伴们注意啦,今天小编整理了天津大学813半导体物理与器件考什么?包括考试要求等内容,帮助各位考生更好地备考,顺利进入自己的理想院校。一、考试的总体要求本课程为

24考研报考硕士研究生的小伙伴们注意啦,今天小编整理了天津大学813半导体物理与器件考什么?包括考试要求等内容,帮助各位考生更好地备考,顺利进入自己的理想院校。

一、考试的总体要求

本课程为本专业主干专业基础课,要求考生掌握半导体物理的基本概念、二极管/双极型晶体管/场效应晶体管等器件的基本原理和应用。

二、考试的内容及比例

(一)考试内容要点:

第一部分:(50%)

1、半导体能带结构、半导体有效质量、空穴、杂质能级;

2、热平衡状态下半导体载流子的统计分布,本征半导体和杂质半导体的载流子浓度,简并半导体和重掺杂效应;

3、半导体的导电性:载流子的漂移运动、迁移率、散射、强电场效应、热载流子的概念,半导体电阻率与温度、杂质浓度的关系;

4、非平衡载流子:非平衡载流子的产生、复合、寿命、扩散长度、准费米能级,爱因斯坦关系,一维稳定扩散,光激发载流子衰减;

5、p-n结:平衡与非平衡p-n结特点及其能带图,pn结理想和非理想I-V特性,p-n结电容概念与击穿机制,p-n结隧道效应、肖特基势垒二极管;

6、金属与半导体接触特点及其能带图,金属半导体接触整流理论,欧姆接触;

7、MOS结构表面电场效应,理想与实际MOS结构C-V特性;

第二部分:(50%)

1、双极晶体管的基本结构,工作原理,少子分布,低频电流增益和非理想效应;

2、双极晶体管的等效电路模型,频率特性和开关特性;

3、MOSFET的基本结构,工作原理,关键参数,电流电压关系,击穿特性;

4、MOSFET的小信号模型和频率特性;

5、MOSFET的非理想效应;

6、结型场效应晶体管的结构和基本工作原理;

7、光器件与功率器件的原理、特点与应用。

(二)比例: 两部分考试内容各占50%。

三、试卷题型及比例

1、填空与问答题:80%

2、计算与推导题:20%

四、考试形式及时间

考试形式均为笔试。考试时间为3小时(满分150)。

五、参考书目

半导体物理学,(第七版),刘恩科、朱秉升、罗晋生编著,电子工业出版社。

半导体物理与器件,(第四版),赵毅强、姚素英等译,电子工业出版社。

晶体管原理与设计,陈星弼 张庆中等,

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