姓 名 | 傅竹西 | 性 别 | 男 | 出生年月 | 1944-03 |
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所在院校 | 中国科学技术大学 | 所在院系 | 物理系 | ||
职称 | 教授 | 招生专业 | |||
研究领域 | 方向:宽禁带半导体材料及其光电特性。 内容:目前主要集中于ZnO 光电信息功能薄膜材料,研究它们的紫外自发辐射和受激辐射性能、光电转换和光电耦合特性等。 目标是制备出ZnO 结型紫外光电探测器、紫外发光和激光二极管等器件。 |
联系方式 | fuzx@ustc.edu.cn | 电 话 | 0551******* | 邮 编 | 230026 | |
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地 址 | 安徽合肥中国科技的大学物理楼406室 |
个人简介 |
傅竹西, 男, 教授(博士生导师). 1944年3月出生. 1967年毕业于北京大学物理系。 1976 年初到中国科大 物理系任教至今。教学方面主讲过研究生课:"光电子学"和"半导体 光电子材料”等;基础课:"光学","原子物理学"等。 曾编写出版了"固体光电子学"一书。(99年1月, 中国科技 大学出版社)。 科研工作经历: 1976-1985年, 从事发光二极管 和电致发光材料和器件的研究工作。1985年至今, 从事 半导体光电子薄膜材料的制备和特性研究工作。近年来在ZnO光电信息功能薄膜研究方面有较大贡献. 先后获国家基金委、科技部、中国科学院和安徽省科委 的多线资助。曾两次去日本东京大学进修。获学校科研 成果一等奖一项;国家教委全国高校物理教学仪器三等 奖一项;国家专利一项。在国内外核心刊物发表文章40 余篇。 傅竹西, 男, 教授(博士生导师). 1944年3月出生. 1967年毕业于北京大学物理系。 1976 年初到中国科大 物理系任教至今。教学方面主讲过研究生课:"光电子学"和"半导体 光电子材料”等;基础课:"光学","原子物理学"等。 曾编写出版了"固体光电子学"一书。(99年1月, 中国科技 大学出版社)。 科研工作经历: 1976-1985年, 从事发光二极管 和电致发光材料和器件的研究工作。1985年至今, 从事 半导体光电子薄膜材料的制备和特性研究工作。近年来在ZnO光电信息功能薄膜研究方面有较大贡献. 先后获国家基金委、科技部、中国科学院和安徽省科委 的多线资助。曾两次去日本东京大学进修。获学校科研 成果一等奖一项;国家教委全国高校物理教学仪器三等 奖一项;国家专利一项。在国内外核心刊物发表文章40 余篇。 |
著作及论文 |
著作 : Fu Zhuxi, "the Photoelectronics of Solid" , Hefei, USTC publishing company, Jan, 1999 . 文章: 2003年及以前文章 [1] Bixia lin, Zhuxi Fu , Yunbo Jia: “Green luminescent center in undoped zinc oxide films deposited on silicon substrates” Appl. Phys. Lett. 2001, 79 (7) :943-945 [2] Zhuxi Fu, Bixia Lin and Guihong Liao “The Effect of Zn Buffer layer on Growth and Luminescent Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates”, J. 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Electrochemical Society, 2001, 148 (3): G110 [8] Zhang Guo-Bin, Shi Chao-Shu , Han Zheng-Pu, Shi Jun-Yan, Fu Zhu-Xi, M.Kiem, G.Zimmerer: "Photoluminescent Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates" Chinese Physics Letters , 2001, Vol. 18 (3): 4... 著作 : Fu Zhuxi, "the Photoelectronics of Solid" , Hefei, USTC publishing company, Jan, 1999 . 文章: 2003年及以前文章 [1] Bixia lin, Zhuxi Fu , Yunbo Jia: “Green luminescent center in undoped zinc oxide films deposited on silicon substrates” Appl. Phys. Lett. 2001, 79 (7) :943-945 [2] Zhuxi Fu, Bixia Lin and Guihong Liao “The Effect of Zn Buffer layer on Growth and Luminescent Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates”, J. 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承担项目 |
2002年以来取得的资助项目: 1,科技部973快速反应基金,"氧化锌宽禁带半导体薄膜的光电功能研究", 30万元 2,国家自然科学基金委数理学部,"氧化锌薄膜p-n结及其光电子特性研究", 6万元 3.国家自然科学基金委材料与工程学部,"氧化锌宽禁带光电功能材料",7万元 4,国家基金委重大研究计划重点课题:"能带可调的氧化锌基异质结构生长及光电器件应用研究",75万元 ...2002年以来取得的资助项目: 1,科技部973快速反应基金,"氧化锌宽禁带半导体薄膜的光电功能研究", 30万元 2,国家自然科学基金委数理学部,"氧化锌薄膜p-n结及其光电子特性研究", 6万元 3.国家自然科学基金委材料与工程学部,"氧化锌宽禁带光电功能材料",7万元 4,国家基金委重大研究计划重点课题:"能带可调的氧化锌基异质结构生长及光电器件应用研究",75万元 5,中国科学院知识创新方向性课题"第三代半导体材料SiC、ZnO及其器件研究"子课题:"氧化锌薄膜光电信息功 能及其应用研究", 85万元 6,校高水平大学建设重点科研项目:"氧化锌基宽禁带光电功能薄膜材料", 15万元 7,国家自然科学基金,"紫外光发射硅衬底氧化锌薄膜的制备及其特性研究", 12万元 8,安徽省自然科学基金,"氧化锌异质结光电池的结构、性能及其应用研究",4.5万元 9,国家科委提供项目经费,"氧化锌薄膜的紫外发光和激光研究",10万元, 10,中科院院长基金,"ZnO光电子薄膜的制备和特性研究",5万元 11,国家自然科学基金面上项目,"Si基片SiC过渡层的ZnO异质外延及其光电特性,28万元" 12,国家自然科学基金面上项目"ZnO薄膜的发光中心及其激发机理研究",25万元 13. 国家自然科学基金委重点基金,氧化锌异质结构电致发光及缺陷和杂质的行为研究 ” , 100 万 |