一、基本情况
张小玲，副教授。1998年毕业于沈阳工业大学微电子与固体电子学专业，获硕士学位，同年在北京工业大学电控学院担任教学和科研工作。2006年毕业于北京工业大学微电子与固体电子学专业，获工学博士学位。曾赴英国伯明翰大学学习。
二、主要研究方向：
半导体器件、集成电路热特性的研究；电子元器件、集成电路可靠性及加速寿命试验的研究；GaN基高电子迁移率晶体管等新器件的设计及制造。
三、目前承担的主要科研项目和教学任务
面向本科生：《半导体可靠性技术》《计算机软件基础》
面向研究生：《微电子器件可靠性物理》
四、在研课题：
军用半导体分立器件加速寿命试验新方法的应用研究；
军用半导体器件的长期贮存的加速实验方法的研究；
遥测自动测试系统的研究。
五、科研成果
在国内外核心学术刊物上共发表论文四十余篇。
【1】Zhang Xiaoling, Li Fei, et al. High-temperature characteristics of AlxGa1-xN /GaN Schottky diodes. Journal of Semiconductors，2009，30（3）P 034001-1 EI（EI收录号：20091712051382）
【2】张小玲，吕长志，谢雪松等。Ni/AlGaN/GaN结构中肖特基势垒温度特性。 北京工业大学学报2008年第34卷，第4期 （EI收录号：20082311303024）
【3】张小玲，吕长志，谢雪松等。AlGaN/GaN HEMTs 器件研制。《半导体学报》，2003年，第24卷，第8期，P847。（EI收录号：2004078020810）
【4】张小玲，吕长志，谢雪松等。跨导为220mS/mm的AlGaN/GaN HEMT。《固体电子学研究与进展》，2004年，第24卷，第2期，P209。（EI收录号：2004398378429）
【5】张小玲，谢雪松，吕长志等。AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性。《微电子学与计算机》，2004年，第21卷，第7期，P171
六、联系方式：
北京工业大学电子信息与控制工程学院 邮编100124
E-mail: zhangxiaoling@bjut.edu.cn ，Tel: 67392125
